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EMD2T2R详细

TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6

EMD2T2R厂商

Rohm Semiconductor

EMD2T2R参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 5mA,5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA,频率 - 跃迁:250MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563,SOT-666,供应商器件封装:EMT6
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